金硅面壘型半導(dǎo)體探測器

簡要描述：我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導(dǎo)體探測器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對能譜要求高的場合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測量的探測器。

產(chǎn)品型號：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2023-10-13
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品牌	其他品牌	產(chǎn)地	國產(chǎn)
加工定制	否

金硅面壘型半導(dǎo)體探測器

概述

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導(dǎo)體探測器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對能譜要求高的場合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測量的探測器。

技術(shù)規(guī)格

型號	工作電壓	耗盡區(qū)厚度 μm	對比ORTEC U-016-300-100 型探測器（Am-241 面源）真空下測量能量分辯率 1.2?	對比ORTEC U-016-300-100 型探測器（Am-241 面源）真空下測量峰道址202
A-AS20	5~300VDC	大于 1000	0.7~1.4?	204~206
A-AS26	5~300VDC	大于 1000	0.7~1.4?	204~206
B-AS20	5~300VDC	大于 1000	4.0~4.9?	189-191
B-AS26	5~300VDC	大于 1000	4.2~4.9?	189-191